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干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，性能各有优劣。其中，物理性 刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，这些带能粒子通过溅射刻蚀作 用去除未被保护的硅片表面材料，化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，扬州led，纯化学刻蚀作用中，通过等 离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，可以得到较好 的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率。

半导体设备是芯片加工、制造及封装、测试的载体。因其研发技术难度大，成本高而制约着半导体产业的发展。本文以半导体设备研

发过程中出现的铝制腔体水路堵塞、腐蚀问题为研究对象，针对其现象及成因分析进行讨论并找寻解决办法。

铝合金因其优良的性能，led腐蚀设备，广泛应用为半导体设备的腔体材料。材料加工性上，led酸洗设备，铝合金比不锈钢成本低、重量轻、加工速度快；物理特

性上，其具备高导热性、低磁导率和低碳等优点；铝合金无锈、不发尘，对洁净环境无损伤；并能---的承受清洗、刻蚀等工艺所产生的氟离子侵蚀。