晶圆-晶淼半导体-晶圆清洗设备

湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在 3um 以后由于线宽控 制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和 残留物的清洗。干法刻蚀：常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离 子，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。

清洗槽（也叫酸槽/化学槽），晶圆清洗机，主要有hf，h2so4，h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

刻蚀工艺顺序位于镀膜和光刻之后。简单来说，刻蚀机的作用就好像是雕刻中的刻刀一样，利用光学-化学反应原理和化学、物理等刻蚀方法，将晶圆表面附着的不---的材质进行去除，晶圆腐蚀台，留下的就是晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶。然后再多次重复上述步骤，就可得到构造复杂的集成电路。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），晶圆，主要有hf，h2so4，晶圆清洗设备，h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。