半导体湿法腐蚀设备-苏州晶淼半导体-镇江腐蚀

清洗流程的操作规范：

(1) 用(ace)、异bing醇(ipa)、去离子(di)水依次进行超声清洗超声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒；

(2) 在二个超声设备的内槽分布倒入 2000 - 4000 ml的和异bing醇溶液，半导体湿法腐蚀设备，具体的溶液体积由内槽的容积来定，---溶液水平面在花篮上平面以上；在一个烧杯中倒入2000 ml溶液；记录溶液更换日期，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数；

(3) 将晶片用花篮盛放并将其置于内槽中，设置超声的温度60°c，并计时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，并记录溶液累计使用片数；

(4) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(5) 将花篮置于异bing醇中，设置溶液温度60°c，记时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，记录溶液累计使用片数；  (5) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(6) 将放有晶片的花篮置于已配制好的---(共1200 ml，h2so4 : h2o2 =3:1)溶液中，计时10分钟，并记录溶液使用累计片数；保持溶液的温度为90°c。如果溶液不是新配溶液，湿法腐蚀台，需向溶液中按溶液的1/3加入溶液；

(7) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(8) 将晶片从花篮中取出，放置到te制的卡塞中，将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中，在60°c兆声清洗10分钟； 

(9) 将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟； 

(10) 将放有晶片的卡塞放入甩干机中，烘干。