硅片清洗 化学清洗
化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染，方法较多，有溶剂萃取、酸洗（---、·王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为h2so4:h2o2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性，将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后，再用成分比为h2o:h2o2:nh4oh=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液清洗，由于h2o2的氧化作用和nh4oh的络合作用，许---属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为h2o:h2o2:hcl=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由于h2o2的氧化作用和---的溶解，以及氯离子的络合性，许---属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。
通用超声波清洗机 超声波清洗机的结构通常有超声电源和清洗器合为一体或分隔隔离分散结构两种形式，通常小功率(200w以下)清洗机用一体式结构，而大功率清洗机采用分体式结构。
超声波清洗机分体式结构由三个主要部分构成 (1)清洗缸； (2)超声波制作生器； (3)超声波换能器；
超声波清洗设施通常可分为通用机型。
楷模的软磁器件超声波清洗设施介绍：被清洗物件从进料口可传动的不锈钢网带送人超声波清洗槽清洗，再经喷淋、烘干等工序后出料，实现被清洗物件可直接包装入库。
刻蚀机主要分类：电容电感两种方式，硅片腐蚀台，优势互补刻蚀按照被刻蚀材料划分，硅片，主要分为硅刻蚀、介质刻蚀以及金属刻蚀。不同的刻蚀材质其所使用的的刻蚀机差距较大。干法刻蚀的刻蚀机的等离子体生成方式包括ccp（电容耦合）以及icp（电感耦合）。而由于不同方式技术特点的不同，硅片清洗机，他们在下游擅长的应用领域上也有区分。ccp技术能量较高、但可调节性差，适合刻蚀较硬的介质材料（包括金属）；icp能量低但可控性强，适合刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的材料。
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