刻蚀工艺是半导体制造工艺中的关键步骤，对于器件的电学性能十分重要。其利用化 学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，目标是在涂胶的硅片上正确地 掩模图形。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复的硅片报废，因此必须进行严格 的工艺流程控制。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），硅片腐蚀台，主要有hf，h2so4，h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在 3um 以后由于线宽控 制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和 残留物的清洗。干法刻蚀：常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离 子，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有hf，h2so4，h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，徐州硅片，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，硅片酸洗机，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
刻蚀设备作为半导体设备的中坚力量，有望先完成国产替代。半导体设备主要应用于半导体制造和封测流程，是半导体行业的基础。随着半导体制程的微缩和结构的复杂化，半导体刻蚀设备的种类和技术难度递增。从市场来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国比较具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比较高的重要半导体设备之一。
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