硅片腐蚀利用晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用对硅腐蚀的各向---，争取表面较低反射率较低的表面织构。解释：现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，金刚砂硬度---，会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除，会影响太阳电池的填充因子。是在---生产中大量应用化工产品。由电解水而得，连云港清洗，价格比较便宜，每500克6元。化学反应方程式为：2nacl + 2h2o ==通电== 2naoh + cl2↑ + h2↑ 。分碱性腐蚀优点是反应生成物无·，刻蚀清洗机，不污染空气和环境。不像hf-hno3酸性系统会生成有·的nox气体污染---。另外，碱性系统与硅反应，基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀，可以---一定的平行度。
用刻蚀步骤，对暴露在外的材质进行去除，留下晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶，然后再将光刻胶通过刻蚀去除。此后多次重复上述步骤，得到构造复杂的集成电路。刻蚀的材质包括硅及硅化物、氧化硅、氮化硅、金属及合金、光刻胶等。通过有针对性的对特定材质进行刻蚀，才能使得晶圆制造不同的步骤所制造的电路之间相互影响，使芯片产品具有---的性能。
超声波清洗机橡胶工业：需要清洗的产品：手套、带子、白轮胎、橡胶制品、橡胶成型金属模/陶瓷模等污染源：指纹、尘垢、防腐剂、油墨、染料、塑料残留物、橡胶残渣使用清洗剂：碱性洗涤剂、酸性洗涤剂、中性洗涤剂；纯水清洗设备是指可用于人工来清洁工件表面油、蜡、尘、氧化层等污渍与污迹的机械设备。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有hf，h2so4，h2o2，湿法清洗台，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，清洗腐蚀台，去离子，去原子，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
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