半导体清洗机-盐城清洗机-苏州晶淼半导体

刻蚀工艺是半导体制造工艺中的关键步骤，对于器件的电学性能十分重要。其利用化 学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，目标是在涂胶的硅片上正确地 掩模图形。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复的硅片报废，因此必须进行严格 的工艺流程控制。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有hf,,h2so4,h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，性能各有优劣。其中，物理性 刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，这些带能粒子通过溅射刻蚀作 用去除未被保护的硅片表面材料，化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，纯化学刻蚀作用中，通过等 离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，可以得到较好 的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率。