目前在 半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学---与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与---度。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程---人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源，因此如何---制程中所产生污染，便成为清洗制程中研究主要的课题。
过去 rca 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。以下本文即针对清洗设备与技术作一深入介绍，并分析清洗设备发展的关键机会及未来的发展趋势。
硅片清洗 化学清洗
化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染，方法较多，有溶剂萃取、酸洗（---、·王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为h2so4:h2o2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性，将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后，再用成分比为h2o:h2o2:nh4oh=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液清洗，由于h2o2的氧化作用和nh4oh的络合作用，spm，许---属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为h2o:h2o2:hcl=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由于h2o2的氧化作用和---的溶解，spm清洗机，以及氯离子的络合性，许---属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。
单晶圆清洗(swc)系统，spm腐蚀机，用于---的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，spm腐蚀设备，包含带保护膜的掩模版。为了在---不损伤基片的情况下达到*化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片---意位置上的损伤阈值。nano-master的技术---了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的zui大化支持的清洗，同时---在样片的损伤阈值范围内。
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