半导体封装形式介绍
3．3．5 封装晶片级封装csp(chip scale package)。几年之前以上所有的封装其封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在bga、tsop的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比减小到接近1的水平，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来和以前封装的区别。就目前来看，晶圆清洗机，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为csp，而有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1．4或1．2的定为csp。目前开发应用为广泛的是fbga和qfn等，主要用于内存件和逻辑器件。就目前来看csp的引脚数还不可能太多，从几十到一百以上。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置，如---工具、手机、摄录一体机、以及数码相机等。
利用强腐蚀性的强酸蚀刻掉不需要的部份，晶圆腐蚀台，剩余的部份即为常见的蚀刻片产品。它的细部表现功夫---于现有的各种模型材料之上，只要掌握制作技巧并辅助使用于模型上，相信可令您的作品精细度巨增。但因其硬度高，所以在切割及加工时较麻烦，而且无法用一般的烙铁来焊接组合。铜的外观不及不锈钢的亮丽，但硬度低，很容易加工，可以用一般的烙铁来焊接组合。
离子束刻蚀的原理是把惰性气体充入离子源放电室，并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，晶圆清洗台，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面，撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，纯属物理过程。采用离子束对材料表面进行抛光，可使材料表面达到较小粗糙度。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有hf，h2so4，h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，镇江晶圆，去原子，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
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