硅片腐蚀利用晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用对硅腐蚀的各向---，争取表面较低反射率较低的表面织构。解释：现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，金刚砂硬度---，会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除，会影响太阳电池的填充因子。是在---生产中大量应用化工产品。由电解水而得，价格比较便宜，每500克6元。化学反应方程式为：2nacl + 2h2o ==通电== 2naoh + cl2↑ + h2↑ 。分碱性腐蚀优点是反应生成物无·，不污染空气和环境。不像hf-hno3酸性系统会生成有·的nox气体污染---。另外，晶圆腐蚀设备，碱性系统与硅反应，基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀，可以---一定的平行度。
单晶圆清洗(swc)系统，用于---的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在---不损伤基片的情况下达到*化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片---意位置上的损伤阈值。nano-master的技术---了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的zui大化支持的清洗，晶圆清洗设备，同时---在样片的损伤阈值范围内。
清洗作为一种人们日常生活中的基本活动，大家已经习以为常，普遍到没有人重视．我国在20世纪80年代以前，还没有出现清洗行业的概念． 但是，近年来，随着经济的快速发展和人们生活水平的提高．清洗也越来越引起人们的关注．一方面，宿迁晶圆，90年代以后，晶圆酸洗机，随着经济发展和社会进步，清洗活动范围逐步扩大，出现了大批的清洗公司．---是近几年．
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