半导体晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子注入、热处理等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积设备、光刻设备是集成电路前道生产工艺中的三类设备。根据gartner统计，2021年刻蚀设备、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约21.59%、19.19%和18.52%。刻蚀设备已经成为半导体晶圆制造中的关键设备，在半导体制造中的重要性---。
刻蚀是半导体制造三大步骤之一刻蚀已经成为半导体晶圆制造中的关键步骤，在半导体制造中重要性---。半导体制造主要步骤包括光刻、刻蚀、以及薄膜沉积三大步骤，显影设备，并且不断循环进行，显影腐蚀机，以构造出复杂精细的电路结构。而这三个环节工艺的---程度也直接决定了晶圆厂生产高制程产品的能力，以及芯片的应用性能。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有hf，h2so4，h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，焦作显影，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，显影清洗，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
硅片刻蚀台
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