苏州晶淼半导体-湿法腐蚀台-天津湿法

---加氧化剂清洗液

 　 ---加氧化剂清洗液配方为: nh4oh∶h2o2∶h2o=1∶10∶10~1∶20∶20，温度为25~40℃，时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性，可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用，以达到去除表面颗粒的目的，可以去除一些有机污染物及部分重金属离子污染物。

---电容电池和锂电池在环境温度较高连续使用条件下出现高温、充电不足、爆裂的现象，与---电容单体制造过程中采用的材料纯度、设备及工艺有非常直接的因果关联。

传统的真空干燥方法是真空干燥后又将---电容单体暴露在---环境，水气再次进入---电容单体内，从而导致---电容性能及技术指标低下。

全自动---电容真空干燥系统在各单个制备工序以及在从一道工序转移到下一道工序的过程中完全实现高真空环境；有效排除---电容cell内部水、气、杂质的影响；从而提高功率密度，湿法腐蚀台，降低内阻，---高频特性；---地提升了---电容单体和模组的一致性及使用寿命等技术参数，同时生产效率---提高。