rca清洗法:依靠溶剂、酸、表面活性剂和水,在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水(upw)中清洗。以下是常用清洗液及作用。
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rca清洗附加兆声能量后,湿法,可减少化学品及di 水的消耗量,缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间,湿法腐蚀,减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响,增加清洗液使用寿命。
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rca清洗法:自从20世纪70年代rca清洗法问世之后,几十年来被广泛采用。它的基本步骤初期只包括碱性氧化和酸性氧化两步,但目前使用的rca清洗大多包括四步,即先用含---的酸性进行酸性氧化清洗,再用含胺的弱碱性进行碱清洗,接着用稀的qing氟酸溶液进行清洗,然后用含---的酸性进行酸性氧化清洗,在每次清洗中间都要用超纯水(di水)进行漂洗,然后再用低沸点进行干燥。
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