koh腐蚀台-koh-晶淼半导体

按照刻蚀工艺划分，其主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀。干法刻蚀占------。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀，利用等离子体与表面薄膜反应，形成挥发性物质，koh清洗台，或者直接轰击薄膜表面市值被腐蚀的工艺。干法刻蚀的优势在于能够实现各向---刻蚀，即刻蚀时可控制仅垂直方向的材料被刻蚀，而不影响横向材料，从而---细小图形转移后的保真性。因此在小尺寸的---工艺中，已经基本采用干法刻蚀工艺。湿法刻蚀工艺主要是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀，该刻蚀方---导致材料的横向纵向同时腐蚀，会导致一定的线宽损失。

等离子清洗法利用等离子体产生的自由基与有机异物反应，再以气流的方式去除，koh，从而达到清洗的目的。由于ap功率强，一般会对金属表面产生影响，所以，在金属制程中一般不采用ap plasma的清洗技术。ap使用的气体主要是氮气和空气按照一定的比例混合，koh腐蚀机，同时，和玻璃基板保持合适的距离，加载一定的电压，从而产生自由基，对基板表面进行清洁。