硅片刻蚀台
苏州晶淼作为国内的湿法制程设备制造企业之一，一直全心服务于微电子集成电路、半导体材料、半导体照明led、光伏太阳能、lcd-tft 液晶等行业领域。通过多年清洗设备的研发生产经验及周到快捷的售后服务赢得了越来越多的客户---。
多年来，苏州晶淼一直---于为半导体材料、微电子集电路、led、有机发光二级管、三极管、电力电子器件、分立器件、mems传感器、光伏太阳能、等行业域提供完备工序的湿法清洗、腐蚀制程设备。
湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在 3um 以后由于线宽控 制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和 残留物的清洗。干法刻蚀：常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离 子，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有hf，硅片清洗台，h2so4，h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，淮安硅片，然后慢慢拉出，硅片腐蚀，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片；晶圆片生产的过程中，硅片刻蚀台，需对晶圆片的边缘进行腐蚀，但现有的腐蚀装置，腐蚀效率仍有待进一步提高；现需要一种晶圆片边缘腐蚀机，可提高腐蚀效率，进而提高生产效率。
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