硅片-晶淼半导体-硅片刻蚀设备

普通的清洗方法一般不能达到孔内，而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染。无论是采用清洗液清洗都容易引入新的污染源，然而利用超声波清洗技术却可以实现无重复污染，而且能深入mcp孔内的效果。对不同材料及孔径的mcp应采用频率、声强可调的超声波进行实验，以确定实际工艺参数。对孔径6~12μmmcp的清洗，当媒液为水和---时，可采用空化阈约1/3 w/cm2，声强10~20 w/cm2，频率20~120 khz的超声波进行清洗。表1是同一段不同板号的mcp采用不同频率超声波清洗后表观及电性能测试结果。由检测结果可见，对1μm以下的小颗粒污染物，应选用频率40 khz以上的超声波进行清洗。

edc 系统具有可编程阀，硅片刻蚀机，它可以使单试剂滴胶按照蚀刻，开发和清洗应用的要求重复进行，如冲洗（通常是去离子水或溶剂），然后干燥（通常是氮气）等后面的处理步骤。蚀刻/显影/清洗全套系统采用此序贯阀门技术的晶圆片和管道在完全干燥的环境中开通和关闭处理过程。隔离和独立的给水器可处在静态的位置还可以盖内调节。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有hf，h2so4，h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有di清洗。ipa是，硅片清洗设备，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。