湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在 3um 以后由于线宽控 制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和 残留物的清洗。干法刻蚀：常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，功率器件清洗机，即把衬底暴露于气态中产生的等离 子，功率器件腐蚀机，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有hf，h2so4，功率器件清洗，h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，徐州功率器件，去离子，去原子，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
蚀刻气体将气体与衬底分离并从衬底中提取气体。空管。在相同条件下，氧等离子体处理比氮等离子体处理更有效。安等离子蚀刻技术，如果需要蚀刻，如果需要去除蚀刻后的污渍、浮渣、表面处理、等离子聚合、等离子灰化或其他蚀刻应用。附着力、焊接、印刷、涂装、涂装后道工序的附着力和良率。现已成为材料表面性能处理的表面改性工具。
工艺升级带动刻蚀机用量增长，技术壁垒---制程升级带动刻蚀机使用提升从近年来各主要半导体设备资本开支量占比来看，刻蚀机份额占比有---提升。在2010年之前，刻蚀机资本开支占比一直维持在15%左右，而进入2011年以后，随着制程的持续升级，刻蚀机资本开支占比也有---提升。半导体生产厂家时时刻刻都想方设法降低成本，当然也有其它的因素如要求迫使他们改变封装型式。
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