通过加速的 ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，硅片刻蚀机，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。
学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有hf，h2so4，h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有di清洗。ipa是，硅片清洗，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
虽然等离子刻蚀设备在集成电路制造中得到了广泛的应用，离子刻蚀设备但由于等离子刻蚀过程中的物理化学过程复杂，它是理论上模拟和分析等离子刻蚀过程的有效方法，但目前还没有。除蚀刻外，等离子技术已成功应用于其他半导体工艺，例如溅射和等离子化学气相沉积 (pecvd)。
产品---，---高低温及高湿度等---环境。半导体生产厂家时时刻刻都想方设法降低成本，当然也有其它的因素如要求迫使他们改变封装型式。
led厂高层主管---，目前---各地方在节能减碳的落实上都有压力，必须借重台湾led厂的实力，但又止不希望由台厂来---，因此大多数愿意以权利金的方式支付，对台厂是一大利基。
随着台湾大部份led厂商产能都被绑住，二线厂也开始受惠，硅片刻蚀设备，
据了解，未来还有其它的led厂也会有来自地方级的权金利收入。
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