反应离子刻蚀原理是将通入刻蚀室的工艺气体分子解离，产生等离子体。一方面由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应，另一方面由于射频自偏压作用，等离子体中的正离子对被刻蚀材料，表面进行物理轰击，从而以物理化学相结合的方法达到材料表面刻蚀的目的。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有hf，h2so4，h2o2，晶圆清洗，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
3．1．4 塑料封装塑料封装由于其成本低廉、工艺简单，并适于大批量生产，因而具有极强的生命力，自诞生起发展得越来越快，南通晶圆，在封装中所占的份额越来越大。目前塑料封装在全范围内占集成电路市场的95％以上。在消费类电路和器件基本上是塑料封装的天下；在工业类电路中所占的比例也很大，晶圆腐蚀台，其封装形式种类也是多。塑料封装的种类有分立器件封装，包括a型和f型；集成电路封装包括sop、dip、qfp和bga等。
干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，性能各有优劣。其中，物理性 刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，晶圆清洗机，这些带能粒子通过溅射刻蚀作 用去除未被保护的硅片表面材料，化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，纯化学刻蚀作用中，通过等 离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，可以得到较好 的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率。
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